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『簡體書』MOS集成电路工艺与制造技术

書城自編碼： 1919051
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→電子/通信
作者： 潘桂忠
國際書號(ISBN)： 9787547809808
出版社： 上海科学技术出版社
出版日期： 2012-06-01
版次： 1 印次： 1
頁數/字數： 489/670000
書度/開本： 16开 釘裝： 平装

售價：HK$ 250.8

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內容簡介：
本书编著者潘桂忠。
《MOS集成电路工艺与制造技术》内容系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺，内容包括硅衬底与清洗、氧化、扩散、离子注人、外延、化学气相淀积、光刻与腐蚀／N，蚀、金属化与多层布线、表面钝化以及工艺集成制造技术。前面l—10章，一方面介绍了各种工艺，建立了工艺规范并确定了其规范号；另一方面确定了工艺制程中的各种工序。集成电路工艺制程依一定次序的各工序组成，而工序由各工步所构成，工步中的各种工艺由其规范来确定，工艺规范由其规范号和工艺序号i得到，最终在硅衬底上实现所设计的图形，制造出各种电路芯片。前面l～10章为后面11～13章的各种工艺集成制造技术奠定了基础。ll～13章介绍了CMOS
和LV／Hv兼容
CMOS、BiCMOS和LV／HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术，给出部分实用简明工艺制程卡，并与工艺制程的剖面结构相对应。
目錄：
第1章 硅衬底与清洗
　1．1 硅晶圆
　1．2 P型硅衬底
　1．3 N型硅衬底
　1．4 Pepi／P或Pepi／P+型硅衬底
　1．5 Nepi／P或Nepi／N+型硅衬底
　1．6 硅片激光编号
　1．7 硅片清洗分类及其步骤
　1．8 硅片各种清洗液及其清洗
第2章 热氧化
第3章 热扩散
第4章 离子注入及其退伙
第5章 硅外延
第6章 化学气相淀积
第7章 光刻
第8章 腐蚀和刻蚀
第9章 金属化
第10章 表面钝化
第11章 CMOS工艺集成
第13章 Bicmos工艺集成

 

 

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