新書推薦：
《
伟大民族：从路易十五到拿破仑的法国史（方尖碑）
》
售價：HK$
193.2
《
古今“书画同源”论辨——中国书法与中国绘画的关系问题兼中国画笔墨研究
》
售價：HK$
135.7
《
《日本文学史序说》讲演录
》
售價：HK$
74.8
《
无尽的海洋：美国海事探险与大众文化（1815—1860）
》
售價：HK$
102.4
《
治盗之道：清代盗律的古今之辨
》
售價：HK$
125.4
《
甲骨文丛书·剑桥世界暴力史（第一卷）：史前和古代世界（套装全2册）
》
售價：HK$
210.6
《
甲骨文丛书·中华早期帝国：秦汉史的重估
》
售價：HK$
300.2
《
欲望与家庭小说
》
售價：HK$
101.2
|
| 內容簡介： |
《IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例（第2版）》结合国内外IGBT的发展和最新应用技术，以从事IGBT应用电路设计人员为本书的读者对象，系统、全面地讲解了IGBT应用电路设计必备的基础知识，并选取和总结了IGBT的典型应用电路设计实例，以供从事IGBT应用电路设计的工程技术人员在实际设计工作中参考。
《IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例（第2版）》共分为6章，在概述了IGBT的发展历程与发展趋势的基础上，讲解了IGBT的结构和工作特性、IGBT模块化技术、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用设计与电路实例等内容。本书题材新颖实用，内容丰富，文字通俗，具有很高的实用价值。
《IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例（第2版）》可供电信、信息、航天、电力、军事及家电等领域从事IGBT应用电路开发、设计、应用的工程技术人员和高等院校及职业技术学院的师生阅读参考。
|
| 目錄：
|
第2版 前言
第1版 前言
第1章 IGBT的发展历程与发展趋势
1.1 IGBT的发展历程
1.1.1 电力电子器件的发展
1.1.2 IGBT的发展
1.2 IGBT的发展趋势
1.2.1 IGBT器件的研发
1.2.2 IGBT模块的发展趋势
第2章 IGBT的结构和工作特性
2.1 IGBT结构及特性
2.1.1 IGBT的结构与工作原理
2.1.2 IGBT的基本特性
2.1.3 带反向阻断型IGBT的特性
2.1.4 IGBT的锁定效应和安全工作区
2.2 IGBT等效电路模型及主要参数
2.2.1 IGBT等效电路模型
2.2.2 IGBT的主要参数
第3章 IGBT模块化技术
3.1 功率模块
3.1.1 功率模块的构造
3.1.2 功率模块的性能
3.1.3 IGBT模块新技术
3.1.4 IGBT模块的最新发展
3.2 新型IGBT模块
3.2.1 IR系列IGBT模块
3.2.2 高压IGBT模块
3.2.3 IGBT变频器模块
3.3 智能功率模块（IPM）
3.3.1 IPM的特点与分类
3.3.2 IPM的结构与特性
3.3.3 IPM的保护功能及死区时间
3.3.4 富士电机公司的R系列IPM
3.3.5 三菱第4代大型DIP-IPM
第4章 IGBT驱动电路设计
4.1 IGBT驱动技术
4.1.1 IGBT栅极驱动要求
4.1.2 IGBT的驱动电路
4.2 M579系列IGBT驱动模块
4.2.1 M57957LM57958L厚膜驱动器集成电路
4.2.2 M57962L厚膜驱动器集成电路
4.2.3 M57962AL厚膜驱动器集成电路
4.3 IR系列集成驱动模块
4.3.1 IR2110集成驱动器
4.3.2 IR2130驱动器及其在逆变器中的应用
4.3.3 IR系列高速驱动集成电路
4.3.4 IR2233功率集成电路
4.4 SCALE集成IGBT驱动板
4.4.1 SCALE集成电路
4.4.2 2SD315A驱动集成电路
4.5 EXB系列IGBT驱动器
4.5.1 EXB系列集成驱动器
4.5.2 EXB系列驱动器应用电路
4.6 IGDDHHLHC系列IGBT驱动模块
4.6.1 IGD508EIENIGD515EIEN驱动模块
4.6.2 DH57962L驱动模块
4.6.3 HL402驱动模块
4.6.4 HCPL-316J驱动模块
4.7 QP12W05S-37混合集成IGBT驱动器
4.8 QD32PRO-S双通道IGBT驱动器
第5章 IGBT保护电路设计
5.1 IGBT保护电路
5.1.1 IGBT过电压保护电路
5.1.2 IGBT过电流保护
5.1.3 IGBT短路保护电路
5.1.4 IGBT过电流保护方案设计
5.1.5 具有快速短路保护的中频电源
5.2 IGBT集成保护电路
5.2.1 HL601A厚膜集成电路
5.2.2 JP20系列IGBT保护扩展模块
5.3 IGBT缓冲保护电路
5.3.1 缓冲保护电路分类及设计
5.3.2 IGBT无损吸收电路
5.3.3 缓冲电路的模型
5.3.4 C-2D和C-L-2D型无源无损缓冲电路
第6章 IGBT应用电路实例
6.1 IGBT的选择与散热设计
6.1.1 IGBT的选择
6.1.2 IGBT的散热设计
6.1.3 功率模块热设计中的常用方法
6.1.4 IGBT的电磁兼容性
6.2 IGBT失效分析及安装方法
6.2.1 IGBT失效分析
6.2.2 IGBT模块的安装、接线与保存
6.3 IGBT应用电路实例
6.3.1 低功率IGBT应用电路实例
6.3.2 高功率器件在逆变电路中应用实例
6.3.3 高功率器件在变频电源中应用实例
6.3.4 IPM在电能变换电路中应用实例
6.3.5 IGBT在光伏发电并网逆变器中的应用
参考文献
|
| 內容試閱：
|
第2章 IGBT的结构和工作特性
2．1 IGBT结构及特性
2．1．1 IGBT的结构与工作原理
ICBT（绝缘栅双极晶体管）是由BY（双极型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。
IGB既具有功率MOSFET的高速开关及电压驱动特性，又具有双极型晶体管的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力，是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种器件。
ICBT是将功率MOSFET和GTR集成在一个芯片上的复合电力电子器件。功率MOSFET是单极型电压驱动器件，它具有工作速度快，输入阻抗高，热稳定性好以及驱动电路简单等特点，但它导通电阻较大，电流容量也较低，而GTR是双极型电流驱动器件，其阻断电压高，载流能力强，但工作速度较慢，驱动电流大、控制电路较复杂。这两类器件的缺点限制了它们的发展。目前，出现许多新型复合器件，如MOS双极复合晶体管，MOS双极复合晶闸管，这些新型电力电子复合器件，集合了单极和双极型器件各自的优点。
功率MOSFET由于实现一个较高的击穿电压VDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS数值高的特征，ICBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然，最新一代功率MOSFEI’器件大幅度改进了RDS特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGB3．高出很多。ICBT较低的压降，转换成一个低VCE特性，IGB3的结构与同一个标准双极型器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的电路。ICBT发展得很快，这种复合器件属于晶体管类，它既可以作为开关用，也可以作为放大器件用。它具有良好的特性，很适合在中频电源领域的应用。
IGBrI．是少于器件，它不但具有非常好的导通特性，而且还具有功率MOSFET的许多特性，如容易驱动，安全工作区宽，峰值电流大，坚固耐用等。一般来说，IGBT．的开关速度低于功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的开关特性非常接近功率．MOSFET，而且导通特性也不受工作电压的影响。由于ICBT内部不存在反向二极管，应用中可以灵活地选用外接恢复二极管，这个特性是优点还是缺点，应根据工作频率、二极管的价格和电流容量等参数来衡量。
……
|
|
購物車/收銀台(0) | 在線留言板
| 付款方式
| 運費計算
| 聯絡我們
| 幫助中心 |
加入書簽
HOME
新書上架
