新書推薦:
![清代反贪大案](http://103.6.6.66/upload/mall/productImages/24/17/9787516673430.jpg)
《
清代反贪大案
》
售價:HK$
89.7
![探寻学习机制的改变——项目化学习的设计与指导](http://103.6.6.66/upload/mall/productImages/24/17/9787519137984.jpg)
《
探寻学习机制的改变——项目化学习的设计与指导
》
售價:HK$
56.6
![未来学习者的素养和教育](http://103.6.6.66/upload/mall/productImages/24/16/9787523211076.jpg)
《
未来学习者的素养和教育
》
售價:HK$
103.8
![不理想的妻子](http://103.6.6.69/upload/mall/productImages/y24/6/9787020181667.jpg)
《
不理想的妻子
》
售價:HK$
58.8
![安妮女王时代的英格兰:拉米伊战役与英苏联合(安妮女王时代三部曲之二)](http://103.6.6.66/upload/mall/productImages/24/16/9787521627633.jpg)
《
安妮女王时代的英格兰:拉米伊战役与英苏联合(安妮女王时代三部曲之二)
》
售價:HK$
103.8
![宋学西渐——欧洲迈向近代启蒙之路 儒学与欧洲文明研究丛书 井川义次](http://103.6.6.66/upload/mall/productImages/24/17/9787301328446.jpg)
《
宋学西渐——欧洲迈向近代启蒙之路 儒学与欧洲文明研究丛书 井川义次
》
售價:HK$
164.0
![自顶向下的Ceph分布式存储系统基本原理](http://103.6.6.66/upload/mall/productImages/24/17/9787515923123.jpg)
《
自顶向下的Ceph分布式存储系统基本原理
》
售價:HK$
92.0
![新经典日本语(基础教程)(第二册)(第三版)](http://103.6.6.66/upload/mall/productImages/24/16/9787521351552.jpg)
《
新经典日本语(基础教程)(第二册)(第三版)
》
售價:HK$
92.0
|
內容簡介: |
《纳米半导体器件与技术》作者印纽斯基这本 书由来自工业界和学术界的国际顶级专家参与撰写, 是 一本对未来纳米制造技术有浓厚兴趣的人必读的书。
《纳米半导体器件与技术》介绍了半导体工艺从 标准的CMOS硅工艺到新型器件结构的演变,包括碳纳 米管、 石墨烯、量子点、III-V族材料。本书涉及纳米电子 器件的研究现状,提供了包罗万象的关 于材料和器件结构的资源.包括从微电子到纳电子的 革命。
本书分三个部分: 半导体材料例如,碳纳米管,忆阻器及自旋有 机器件; 硅器件与技术如BICMOS,SOI,各种三维集成和 RAM技术.以及太阳能电池; 复合半导体器件与技术。
本书探索了能够在微电子系统性能上超越传统 CMOS的新兴材料。讨论的主题涉及碳纳 米管的电子输运GAN HEMTS技术及应用。针对万亿美 元纳米技术产业的真实市场需求和技 术壁垒,本书提供了新型元器件结构的重要信息.而 这将使其向未来的发展迈出一大步。
|
目錄:
|
第一部分 半导体材料
第1章 碳纳米管中的电子运动:从电子动力学到电路模型
1.1 引言
1.2 碳纳米管的电子动力学
1.2.1 概述
1.2.2 碳纳米管的能带结构
1.2.3 碳纳米管的构造
1.2.4 单壁和多壁碳纳米管中有效的沟道数量
1.3 电磁学中的应用:碳纳米管作为一种新型的散射材料
1.3.1 概述
1.3.2 碳纳米管散射的电磁学模型
1.4 电路中的应用:碳纳米管作为一种新型的互连材料
1.4.1 纳米级互连中的碳纳米管
1.4.2 碳纳米管互连的TL模型
1.4.3 束状碳纳米管作为新型的芯片封装的互连材料
1.5 结论
参考文献
第2章 碳纳米管与cMos的单片集成
第3章 便捷的、可扩展的外围电化学方法制备二氧化钛忆阻器
第4章 有机半导体中的自旋传输:最初八年的简要概述
第二部分 硅器件和技术
第5章 siGc BicMoS技术与器件
第6章 新型的高性能低功耗器件范例:极限FDSOI多栅MOSFET和多势垒促进栅极共振隧穿FET
第7章 三维芯片集成技术的发展
第8章 嵌入式STT—MRAM
第9章 非易挥发性存储器件:阻变存储器
第10章 DRAM技术
第11章 单晶硅太阳能电池的优化和模型
第12章 硅器件的辐射效应
第三部分 复合半导体器件与技术
第13章 使用直接生长技术的GaN/InGaN双异质结双极晶体管
第14章 氮化镓高电子迁移率晶体管技术与应用
第15章 基于CaN的金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管的表面处理、工艺和性能
第16章 下一代高功率/高温器件——大尺度硅衬底氮化镓基HEMT器件
第17章 应用于手机终端的砷化镓异质结双极型晶体管及功率放大器设计
第18章 Ⅲ族氯化物的负微分电阻和共振隧穿
第19章 三氮化物半导体子能带光电学的新发展
|
|