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| 內容簡介： |
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半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。
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| 目錄：
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GBT 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GBT 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GBT 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GBT 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GBT 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GBT 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GBT 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GBT 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GBT 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GBT 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GBT 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GBT 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
GBT 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GBT 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GBT 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GBT 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GBT 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GBT 6619-2009 硅片弯曲度测试方法-
GBT 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GBT 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-
GBT 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GBT 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
GBT 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GBT 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GBT 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法
GBT 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GBT 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GBT 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GBT 14140-2009 硅片直径测量方法
GBT 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GBT 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GBT 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GBT 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GBT 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GBT 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
GBT 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
GBT 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法-
GBT 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定——间隙氧含量减少法
GBT 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
GBT 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GBT 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法 第1部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法
GBT 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 硫酸亚铁铵滴定法
GBT 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 硫酸钡重量法
GBT 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法
GBT 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法
GBT 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法
GBT 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GBT 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AIGaAs中Al成分的试验方法
GBT 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
GBT 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GBT 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GBT 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
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