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| 編輯推薦： |
模拟电子技术是一门重要的专业基础课，应用面极其广泛，但模拟电子学基础理论存在很多不足、缺陷及错误，导致模拟电子技术成为教师*难教、学生*难学的课程，成为工程师*难用的技术。
作者多年来深入研究、创新模拟电子学，揭示模拟电子学传统理论中的漏洞及错误，探讨如何解决传统理论不能解决的问题，寻求新的高效率计算方法，不仅显著改善了模拟电子技术及相关课程的教学质量，而且有益于相关科学研究和工程设计。
希望本书能为相关专业的研究人员、专家学者、教师、学生，以及电子工程师、电子技术爱好者提供参考和帮助，变事倍功半为事半功倍。
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| 內容簡介： |
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由于历史短暂等原因，传统模拟电子学存在很多缺陷。作者崇尚科学、大胆创新，为此进行了20多年的研究。经过长期的理论分析和实践验证，创建用内电场势垒与自由电子扩散势相平衡决定PN结内电场、建立放大器临界工作点计算输入、输出范围、建立比较环节相移概念，创建用三相位移法3?法进行反馈分析与设计等。这些创新，已经用于电子工程设计及模拟电子技术课程学习，取得优秀效果。
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| 關於作者： |
元增民，河北工业大学1977级大学生、1982级研究生。1993年在中国重汽集团晋升高级工程师，1999年在解放军总后勤部军需部转为副教授，2001年晋升教授。1982年以来主持或参与UD80型柔性加工单元、球铁孕育剂治炼炉随动机构等科研或工程项目十余项，发表研究论文40多篇，讲授电类课程累计二十余门（一万多学时）。
2006年至今出版《单片机原理与应用基础》
《模拟电子技术》《电工技术》等著作三种七个版次，用于全国二十多所院校、十几届学生的课程教学。
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| 目錄：
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上篇 传统理论的错误漏洞及研究动态
第1章 传统理论的105项错误及漏洞
1.1 电路理论及方法的错误及漏洞
1.1.1 电路概念、计算方法的欠缺及错误（17项）
1.1.2 表达方法不足错用符号及对曲线特性认识不足（3项）
1.2 半导体物理学PN结理论的错误及漏洞
1.2.1 正离子丢失物质电中性被歪曲，空穴被强行带上正电（3项）
1.2.2 忽视扩散势，造成平衡PN结内电场计算多处错误（4项）
1.3 晶体管理论的错误及漏洞
1.3.1 晶体二极管理论的错误及漏洞（11项）
1.3.2 BJT及FET晶体管理论的错误及漏洞（9项）
1.4 放大理论的漏洞及错误
1.4.1 还没有解决的问题25页
1.4.2 人为制造的错误（10项）
1.5 反馈及振荡理论的错误与漏洞
1.5.1 反馈理论的错误与漏洞（13项）
1.5.2 振荡理论的错误与漏洞（10项）
1.6 模拟电子学理论缺陷的影响及原因
第2章 探索创新如火如荼
2.1 学术界相关动态
2.2 百度知道网页关于模拟电子学的论述
2.3 笔者的创新之路110项求真
下篇 研究进展
第3章 电路理论及方法的创新
3.1 电路分析计算方法
3.2 RLC电路幅频特性曲线在对数频率坐标下对称
3.2.1 RLC串联电路幅频特性曲线在对数频率坐标下对称
3.2.2 RLC并联电路幅频特性在对数频率坐标下对称
3.3 RC串并联电路谐振阻抗、曲线对称性及品质因数
3.3.1 RC串并联电路谐振时分阻抗及总阻抗均非电阻性
3.3.2 RC串并联电路幅频特性曲线在对数频率坐标轴对称
3.3.3 RC串并联电路品质因数最大值仅为0.5
3.4 伯德图半对数相频特性曲线中点斜率的计算及应用
3.5 自感与互感的计算方法
第4章 半导体物理学PN结理论的重构
4.1 PN结二极管工作原理
4.1.1 按照空穴不带电绘制半导体及PN结示意图
4.1.2 用自由电子扩散势解释PN结平衡及光生电动势
4.1.3 自由电子扩散势的实际测量PN结单向导电性
4.1.4 光电效应有效光生电子空穴对及自由电子扩散势
4.1.5 掺杂浓度取值范围及半导体器件最高工作温度
4.1.6 PN结二极管伏安特性的四种表达方式
4.2 二极管应用电路及其分析计算方法
4.2.1 发光二极管及光电二极管应用电路
4.2.2 二极管电路分析方法
第5章 BJT晶体管理论的创新
5.1 晶体三极管原理及数理模型
5.1.1 用竞争机制阐述BJT三极管工作原理
5.1.2 BJT三极管三特性
5.1.3 BJT三极管数理模型
5.2 三极管技术参数及测试应用
5.2.1 BJT三极管技术参数
5.2.2 BJT三极管测试鉴别
5.2.3 BJT三极管产品形态及应用
第6章 FET晶体管理论的补充
6.1 结型场效应管
6.1.1 结型场效应管工作原理
6.1.2 JFET传输特性零栅压零电阻漏极电流
6.1.3 场效应管输出特性
6.1.4 结型场效应管数理模型及技术参数
6.2 金属氧化物半导体场效应管
6.2.1 金属氧化物半导体场效应管的工作原理及特性参数
6.2.2 各种FET及其与BJT的综合对比
第7章 BJT晶体管放大电路理论的创新与重建
7.1 基本共射放大电路
7.1.1 科学绘制放大电路的交流和直流等效电路
7.1.2 三组态通用的U、I、P三大放大倍数计算公式
7.1.3 BJT放大器非线性失真分析
7.1.4 BJT放大器削波失真及工作点设计
7.1.5 工作点内涵与外延及其稳定性的定量计算
7.1.6 基本共射放大电路分析计算
7.2 器件极限耗散功率及放大器效率分析计算
7.3 放大器频率特性分析计算
7.3.1 频率特性的经典表达伯德图及其来历
7.3.2 基本共射放大电路频率特性函数
7.3.3 频带参数分析与耦合电容设计10F的来历
7.3.4 对数频率特性伯德图
7.4 射极偏置共射放大电路
7.4.1 改动虽小但一箭双雕
7.4.2 科学绘制交、直流等效电路
7.4.3 根据输出范围最大要求设计工作点
7.4.4 三大交流参数与频率特性
7.5 共集放大器射极输出器
7.6 共基放大器电流跟随器
7.7 放大电路技术参数的测试
7.8 放大电路工作点及输出范围的图解计算
第8章 FET晶体管放大电路理论的补充
8.1 栅无偏共源放大电路
8.2 源极偏置共源放大电路
第9章 多级放大与功率放大电路理论的补充
9.1 磁耦合放大电路技术参数汇总
9.2 多级放大电路技术参数分析计算
9.2.1 电压放大倍数及频率特性
9.2.2 输入输出电阻及工作点
9.3 乙类功放功率放大倍数分析计算
第10章 差分放大与集成放大电路理论的补充
10.1 长尾差放双端输出模式下CMRR的分析计算
10.2 差分放大器调零电路
10.3 快速识别电压放大倍数的符号、同相端与反相端
10.4 快速测定集成运算放大器的压摆率
第11章 反馈理论的创新与重建
11.1 反馈概念、分类、组态及计算
11.1.1 反馈概念、分类及组态
11.1.2 反馈计算刘志国公式
11.2 反馈极性判别的三相位移法3法
11.2.1 反馈环路的三个相移
11.2.2 反馈极性判别方法
11.3 加反馈的反馈系数分析计算
11.4 用电压跟随器的条件性分析INA电路
11.5 正负双路反馈抵消原理的应用
11.5.1 双通道比例减法电路的分析计算
11.5.2 郝兰德电流泵的分析计算
11.6 微积分运算电路的第二功能90移相放大器
第12章 振荡理论的重构
12.1 振荡电路的数理模型
12.1.1 单路正反馈构成的振荡电路模型
12.1.2 正、负双路反馈抵消构成的振荡电路
12.2 分立元件振荡电路
12.3 文氏电桥集成振荡电路
12.4 RC移相式集成正弦振荡电路
12.4.1 两节及三节RC超前移相式集成正弦振荡器
12.4.2 两节及三节RC滞后移相式集成正弦振荡器
第13章 实验理论、设备及方法创新
13.1 实验理论创新让实验由被动变主动
13.2 实验设备创新让实验走进千家万户
13.3 实验方法创新让实验好做效果更好
13.3.1 基本共射放大实验
13.3.2 振荡实验
参考文献
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| 內容試閱：
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模拟电子学主要研究放大、反馈、滤波、振荡及电源等。模拟电子技术是一门专业基础课。高校中模拟电子技术课程开设之多、影响之广、难度之大，均鲜见其二。
1. 传统模拟电子学的漏洞及错误
当代模拟电子学自1947年才开始建立，相比高等数学大约四百年的历史，其历史较短，学科发展需要时日。传统模拟电子学存在很多错误和漏洞。
例如，尽管学界都知道通常少子只有多子的大约10亿分之一，传统模拟电子学却认为自由PN结内电场势垒大小是由少子漂移电流与多子扩散电流的平衡来决定的。虽然70年过去了，但在旧模式下，这个电流平衡式及自由PN结内电场势垒仍是悬案。
不仅平衡PN结内电场及内建电势大小至今没有任何结论，而且晶体管放大电路的技术参数指标十之有七讨论不全，在两个时间常数相等或接近的典型情况下
没有计算下限频率，尤其是没有临界工作点的概念，这导致最大不失真输出电压幅度输出范围没有计算； 反馈系统丢失合成环节相移。集成移相振荡器所需RC移相电路本来只需两节就足矣，传统却误认为至少需要三节据统计，传统模拟电子学的各种错漏不下百处。
2. 传统模拟电子学错漏的影响
虽然传统模拟电子学的错漏如此之多，
但很多著作依然一版接一版地沿袭。几十年前国内模拟电子学著作只有几朵金花，现在有几千个版本，
但大多囿于传统的教科书，就连知识点的编排顺序都不敢进行些许调整。传统模拟电子学著作被戏称为天书玄学。
模拟电子技术课程为教师最难教、学生最难学的课程。
传统模拟电子学的错漏，已经使有关课程教学严重畸形。
如值是三极管的第一参数，设计、制造及维修时都需要。但高校的理论课对其一带而过，实验课更是鲜见。
模拟电子学的错漏不仅影响专业技术教学，而且影响电子工程技术。理论缺陷使得很多现象难以解释，很多参数难以计算，很多设计依赖经验。例如，光电二极管传感器没有电源时仍有相当高的灵敏度的现象就无法解释。放大器工作点稳定性设计依赖落后的经验手段，输出范围难以最大化，设备潜力难以充分发挥，可靠性难以保证。
很多设备都离不开模拟电子技术。模拟电子学等学科有关基础理论的缺陷是设备带病工作的重要原因之一。没有人敢说世界各地的空难等事故与模拟电子学理论体系的缺陷没有关系。模拟电子学基础理论的不足、缺陷及错误，对于学生是一只只拦路虎，对于工程师是一块块绊脚石，对于产品是一个个隐患，对于飞行员是一个个杀手。
3. 笔者的指导思想、研究工作及初步成果
教的一方是主动的，学的一方是被动的。笔者认为，学科要发展，教学质量要提高，关键是教的一方。不应该片面责怪学的一方，首先教的一方要反思。知识技能是内涵，教学手段只是一种传授工具。漏洞不填补、错误不纠正，就是无源之水、无本之木，再好的教学手段，PPT抑或MOOC，都不可能从根本上解决问题。
坚持真理、纠正错误、填补漏洞、发掘知识，是做学问的根本。为此，笔者首先注意正确处理创新与继承的关系，即善于继承，敢于创新，并以此作为工作总方针。笔者的研究工作大体上分为三方面： 一是揭示模拟电子学传统理论中的漏洞及错误； 二是探讨如何解决传统理论不能解决的问题； 三是寻求新的高效率计算方法。
研究工作最初重要的进展是发现PN结自由电子扩散势，放大器临界工作点及输入、输出范围。自2013年开始，开始优化算法。当年还发现反馈系统的合成环节亦有相移，并创建反馈分析与设计通吃的3法。至今，求真创新举措已达数百项。
经过20多年的不懈研究，原先不能计算的很多项目现在能计算了； 原来经验计算的项目现在上升到理论计算了； 原先能计算但费力缓慢的项目现在计算起来省力快捷了。
笔者的研究结果与吴运昌、杨拴科、高伟、赖家胜、冯永振、陶希平、常建刚、陈兆生、铃木雅臣、Sergio Franco赛尔吉欧佛朗哥等国内外同行以及美国佐治亚州立大学的有关学者都非常一致。国内外不同肤色的人们不约而同就很多问题得出相同的结论，真是殊途同归！与前辈及同行比较起来，笔者的研究工作主要是时间更长、范围更广、内容更多、程度更深。
模拟电子学基础理论的研究成果不仅有益于有关科学研究及工程技术设计，其更现实、直接、广泛的价值表现在可用于改善和提高模拟电子技术课程的教学质量，可以反哺教学，把千千万万学生从知识漏洞和错误造成的苦闷中解放出来。
至今笔者已经出版新体系特色《模拟电子技术》教科书2009年,中国电力出版社、《模拟电子技术》修订版2013年，清华大学出版社、《模拟电子技术简明教程》2014年，清华大学出版社，总计三个版本，已有浙江海洋大学等20多所院校选用。
2003年，笔者的科研项目模拟电子学基础理论的研究在长沙大学长沙学院正式立项，支持经费12万元。已经发表研究论文19篇，出版著作2种5个版次。2017年，本书获得长沙大学年度优秀学术专著称号及出版资助。
2000年以来，本课题得到清华大学王宏宝、中国电子科技集团公司第十三研究所燕官峰等同志，长沙大学长沙学院李峻、刘耘、李咏芳、詹小平、韦成龙、李云龙、刘世昌、吴宪平、张世英、祝磊、张丹、陈威兵、谢立辉、张丽，以及卢雪松、赵鹤翔、姚树林、张国勋、周智克等同志，还有山东华宇工学院的大力支持。本课题还得到全国各地有关方面及人员的积极响应，很多朋友提出不少宝贵建议或意见。上述单位和有关人员给予笔者的支持像雪中送炭一样弥足珍贵，使笔者的研究工作能在20年的时间里一直坚持进行！在此一并表示衷心感谢！
由于笔者水平有限，书中定有不妥之处，希望大家继续对笔者批评指正。
笔者
2020年8月
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