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『簡體書』金属晶须

書城自編碼： 3789594
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→金属学与金属工艺
作者： 王泽坤
國際書號(ISBN)： 9787313263322
出版社： 上海交通大学出版社
出版日期： 2022-08-01

頁數/字數： /
書度/開本： 16开 釘裝： 平装

售價：HK$ 92.0

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內容簡介：
本书较系统地总结了以锡晶须为代表的金属晶须生长现象、生长因素及控制和抑制策略研究历程，标准体系建立等的理论和工程界关注的重点和难点问题。对几种重要机制，特别对航空航天和海洋工程等特殊服役环境中金属晶须进行了详尽研究和分析，也展示了作者所在的课题组开展的锡晶须综合试验成果，并对晶须未来研究领域和方法等进行了展望。本书可供对晶须相关的材料和微电子产品研究者、设计者、生产商和使用者起到一定的参考作用。同时，本书也可以作为材料类和微电子专业本科生和研究生的参考教材。
關於作者：
王泽坤，1990年12月出生，上海交通大学电子专业毕业，获美国俄亥俄州立大学电子与计算机工程学硕士学位、美国奥本大学机械工程博士学位;曾在上海电气风电集团担任研发工程师;主要研究方向为晶须材料电子原理、电子封装、智能算法、图像处理、可再生能源、机械系统可靠性设计等。
目錄：
1 金属晶须研究现状
1.1 金属晶须的现象
1.2 金属晶须的产生
1.3 金属晶须现象的发现和研究历程
1.4 国内外主要研究组织和机构
2 晶须失效与可靠性
2.1 晶须失效的形式及危害
2.2 典型领域发生的晶须失效
2.2.1 民用产品由晶须引起的失效
2.2.2 军事和核设施的晶须失效
2.2.3 海洋领域设施由晶须引起的失效
2.2.4 航空航天领域设施由晶须引起的失效
2.3 金属晶须引起的失效形式
2.3.1 锡晶须引起的失效
2.3.2 锌晶须和镉晶须引起的失效
2.3.3 锂晶须引起的失效
2.3.4 其他金属及合金晶须引起的失效
3 晶须生长因素分析
3.1 晶须生长影响因素研究历程
3.2 晶须生长的环境因素
3.3 晶须生长的主要影响因素
3.4 极端服役环境中的晶须
3.4.1 海洋特殊服役和工作环境
3.4.2 海洋中的电迁移现象
3.4.3 晶须与海洋环境关系
3.5 航空航天设备中的晶须
3.6 NASA对晶须的研究
3.7 特殊服役环境中电源系统的晶须
4 晶须理论研究
4.1 晶须生长机制研究
4.1.1 晶须生长机制研究历程
4.1.2 晶须机制的主要理论和假说
4.2 重要机制研究
4.2.1 压应力机制
4.2.2 迁移机制
4.2.3 位错机制
4.2.4 动态再结晶机制
4.2.5 氧化膜破裂机制
4.2.6 基于系统能量锡原子扩散机制
4.3 晶须机理建模和动态仿真
4.3.1 晶须机理建模和动态仿真的主要方法
4.3.2 晶须机制理论建模和动态仿真类型
4.4 晶须机理评估、预测和评价
4.5 3D电子封装锡晶须建模与试验验证
4.5.1 3D封装晶须数学建模
4.5.2 试验验证
4.5.3 建模与试验小结
4.6 晶须生长机制理论体系初步建立
5 晶须的观察、检测和分析
5.1 晶须观察、检测和分析必要性
5.2 晶须观察工具和分析技术
5.3 晶须观察方法
5.3.1 长期观察
5.3.2 原位观察
5.3.3 直接实时观察
5.4 晶须观察类型
5.4.1 晶须生长现象、机制观察
5.4.2 影响晶须生长因素观察
5.4.3 晶须形貌和相关参数观察
5.4.4 晶须失效观察
5.5 晶须检测和综合分析
5.5.1 晶须现象、特征和机理检测
5.5.2 晶须相关特征检测
5.5.3 晶须相关参数检测
6 晶须的综合性能测试和试验
6.1 综合试验系统及功能
6.2 试验类型
6.2.1 晶须检测和综合试验分析
6.2.2 晶须关键参数观测、检测和综合性能测试试验
6.2.3 晶须机理、生长与环境的关系分析和验证
6.2.4 晶须缓解和控制策略试验
6.3 综合性能测试试验
6.3.1 晶须综合性能试验研究方法
6.3.2 银离子迁移试验研究
6.4 创新性试验系统和方法
6.4.1 原位AFM-ETEM观察锂晶须生长试验
6.4.2 网格限制溅射锡面积对锡晶须生长的影响综合试验
7 晶须试验和标准体系建立
7.1 试验和标准理论研究
7.2 试验类型
7.2.1 晶须机理验证和生长过程试验
7.2.2 可靠性和寿命试验
7.2.3 参数测试试验
7.2.4 影响因素和环境试验
7.2.5 晶须评价和处理方法试验
7.3 试验方法
7.3.1 原位试验
7.3.2 尼米锡晶须测试
7.3.3 加速试验
7.3.4 动态综合性能试验
7.4 晶须试验标准体系
7.4.1 晶须标准研究
7.4.2 标准类型
8 晶须抑制和控制策略
8.1 常规抑制策略
8.2 极端环境下晶须抑制和控制策略
8.3 金属晶须研究展望
索引
內容試閱：
以锡晶须为代表的金属晶须自发生长是一个长期悬而未决的科学与技术问题。晶须是导电的单晶，可以从镀层和焊端表面、镀层与基板的交接处、有镀层的电子元器件引脚、贴片、电气连接件金属表面、不同电位的相邻导体之间、电子封装和集成电路互联引线根部及端部等部位自发生长出来，因晶须问题造成的电路短路失效事故时有发生。随着电子器件无铅化的发展，以及传感器、电子元器件、集成电路电子封装向着超高频、超高速、小型化、高密度集成化、多功能化方向发展，由晶须自发生长引起的短路和电子故障问题更加突出，对电气系统的可靠性问题构成了巨大的威胁。
研究晶须现象，分析其根本原因，阐明生长规律，揭示其科学机理，寻找相应的抑制和控制策略，是当前研究的热点和难点。本书总结了近年来学者们在晶须理论和工程技术方面的研究成果，主要包括晶须现象、发现历程、生长行为、晶须的危害，金属晶须机理，晶须机理建模和动态仿真，晶须的观察，试验方法，试验理论和标准体系研究，晶须生长与外部条件及环境的关系，抑制和控制策略等。本书可以对与晶须相关的材料和微电子产品研究、设计以及生产商和使用者起到一定的参考作用，也可以作为材料类和微电子专业本科生和研究生的参考教材。
本书分为8章：第1章为金属晶须现象和研究历程，第2章为晶须失效及可靠性，第3章为影响晶须生长的因素，第4章为金属晶须的理论研究，第5章介绍了晶须的观察、检测和综合分析，第6章为晶须的综合性能测试和试验，第7章为晶须试验和标准体系建立，第8章介绍了晶须抑制和控制策略，并对晶须未来研究领域和方法等进行了展望。本工作受到美国CAVE3 (NSF Center for Advanced Vehicle and Extreme Environment Electronics at Auburn University）、中国国家自然科学基金（41976194）、上海市科委国内科技合作领域项目（19595801100）和海盐县2019年人才专项资金的资助。
对本书中存在的不足或谬误之处，请各位专家和读者指正。

 

 

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