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| 編輯推薦： |
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本书内容围绕集成电路制造环节展开，将各个工序流程的关键工艺技术囊括其中，通过细致有趣的解读，使读者轻松了解集成电路是怎么来的。本书主要具有如下特色： 1.内容丰富全面，基本覆盖了集成电路制造环节的所有工艺，尤其是光刻、刻蚀等核心工艺，完整勾勒了集成电路从晶圆到芯片的过程。 2.解读轻松有趣，由于集成电路涉及许多专业性较强的知识，因此书中尽可能通过类比的方式进行讲解，将复杂的技术用生活中常见的事物来作对比，降低学习难度。 3.彩色图解，本书采用彩色印刷，各工艺环节均配备大量彩色图片展示，效果精美细腻，同时能够帮助激发读者阅读兴趣，让读者更容易理解。
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| 目錄：
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第1篇 集成电路制备前的准备工作
第1章 点石成金的神奇行业 2
1.1 有趣的半导体产业历史 2
1.1.1 电子管时代 3
1.1.2 晶体管时代 4
1.1.3 集成电路时代 5
1.2 半导体行业现状 11
1.2.1 半导体行业概况 11
1.2.2 半导体设计业现状 14
1.2.3 半导体制造业现状 15
1.2.4 半导体封测行业现状 18
1.2.5 中国大陆半导体产业现状 20
1.3 芯片是怎样炼成的？ 24
第2章 电子产业的基石——硅 27
2.1 炼丹炉里生长硅 27
2.2 硅的“脾性” 31
2.3 半导体器件的基础——PN结 34
2.4 双极型晶体管 37
2.5 MOS管 40
2.6 应力工程-应变硅 43
2.7 鳍式场效应晶体管 46
第3章 芯片制造的战略支援部队 47
3.1 比手术室还干净的地方——净化间 47
3.1.1 良率——半导体制造的生命线 47
3.1.2 沾污的类型与来源 48
3.1.3 净化间的结构 51
3.2 半导体制造中的化学品 52
3.2.1 化学溶液 52
3.2.2 气体 54
3.3 半导体设备 55
3.4 半导体测量 56
3.5 集成电路设计与制造的桥梁——掩膜版 60
第4章 集成电路工艺概述 62
4.1 Fab的分区 62
4.2 典型CMOS工艺流程 63
4.3 集成电路工艺里的“加”“减”“乘”“除” 75
第2篇 集成电路工艺中的“加法”
第5章 氧化 78
5.1 二氧化硅的结构与性质 78
5.1.1 二氧化硅的结构 78
5.1.2 二氧化硅的物理性质 79
5.1.3 二氧化硅的化学性质 80
5.2 氧化工艺 81
5.2.1 氧化生长机制 81
5.2.2 干氧氧化 82
5.2.3 水汽氧化 84
5.2.4 湿氧氧化 86
5.2.5 影响氧化速率的因素 86
5.3 二氧化硅的应用 87
5.3.1 器件保护与表面钝化 87
5.3.2 器件隔离 87
5.3.3 栅氧电介质 89
5.3.4 掺杂阻挡 89
5.3.5 金属层间介质层 90
5.3.6 氧化硅的其他应用 90
5.3.7 氧化硅的应用总结 91
5.4 氧化设备 92
5.4.1 卧式炉 92
5.4.2 立式炉 93
5.4.3 快速热处理（RTP）设备 94
5.5 氧化质量检查及故障排除 96
5.5.1 氧化质量检查 96
5.5.2 氧化故障排除 98
第6章 化学气相淀积 99
6.1 薄膜淀积概述 99
6.2 化学气相淀积工艺 102
6.2.1 CVD工艺概述 102
6.2.2 CVD淀积系统 104
6.2.3 APCVD 105
6.2.4 LPCVD 107
6.2.5 PECVD 110
6.2.6 HDPCVD 111
6.2.7 CVD过程中的掺杂 112
6.3 介质及其性能 113
6.3.1 介电常数k 113
6.3.2 低k材料 114
6.3.3 超低k材料 115
6.3.4 高k材料 116
6.4 外延 118
6.4.1 外延概述 118
6.4.2 气相外延 （VPE） 119
6.4.3 分子束外延（MBE） 120
6.4.4 金属有机CVD（MOCVD） 120
6.5 CVD薄膜质量影响因素及故障排除 121
6.5.1 CVD薄膜质量影响因素 121
6.5.2 CVD故障检查及排除 121
6.5.3 颗粒清除 122
第7章 物理法沉积薄膜 124
7.1 集成电路工艺中的金属 124
7.1.1 铝 125
7.1.2 铝铜合金 126
7.1.3 铜 127
7.1.4 硅化物 128
7.1.5 金属填充塞 129
7.1.6 阻挡层金属 129
7.2 金属淀积工艺 130
7.2.1 蒸发 130
7.2.2 溅射 131
7.2.3 金属CVD 134
7.2.4 铜电镀 134
7.3 旋涂 135
7.4 铝互连工艺流程 135
7.5 铜互连工艺流程 136
7.5.1 单大马士革工艺 136
7.5.2 双大马士革工艺 138
7.6 金属薄膜的质量检查及故障排除 138
第8章 扩散 139
8.1 扩散原理 139
8.2 扩散工艺步骤 142
8.3 扩散应用 145
第9章 离子注入 146
9.1 离子注入工艺 146
9.2 离子注入机 148
9.3 离子注入中的沟道效应 149
9.4 离子注入的应用 150
9.5 离子注入后的质量测量 152
9.6 离子注入中的安全问题 154
第3篇 集成电路工艺中的“减法”
第10章 清洗硅片 156
10.1 清洗目的 156
10.2 清洗硅片的标准流程 157
10.3 干法清洗工艺 158
10.4 硅片清洗设备 159
第11章 刻蚀 160
11.1 刻蚀概述 160
11.1.1 刻蚀原理 160
11.1.2 刻蚀分类 160
11.1.3 刻蚀参数 162
11.2 湿法刻蚀 164
11.3 干法刻蚀 165
11.3.1 干法刻蚀概述 165
11.3.2 二氧化硅的干法刻蚀 167
11.3.3 多晶硅的干法刻蚀 167
11.3.4 氮化硅的干法刻蚀 169
11.3.5 金属的干法刻蚀 169
11.3.6 光刻胶的干法刻蚀 171
11.3.7 干法刻蚀终点检测 171
11.4 刻蚀质量检查 172
第12章 化学机械抛光 173
12.1 平坦化概述 173
12.2 传统平坦化工艺 174
12.3 化学机械抛光 175
12.3.1 CMP机理 175
12.3.2 CMP优缺点 177
12.3.3 CMP主要参数 177
12.3.4 CMP设备组成 178
12.3.5 CMP终点检测 179
12.3.6 CMP后清洗 180
12.4 CMP应用 181
第4篇 集成电路工艺中的“乘法”
第13章 离子注入退火 184
13.1 掺杂离子注入之后的退火 184
13.2 离子注入制备SOI时的退火 186
13.3 制备高k介质时的退火 188
13.4 退火方式 188
第14章 回流 191
14.1 PSG回流 191
14.2 BPSG回流 192
第15章 制备合金 195
15.1 制备多晶硅金属硅化物（polycide） 195
15.2 制备自对准金属硅化物（salicide） 196
15.2.1 制备Ti硅化物 197
15.2.2 制备Co硅化物 198
15.2.3 制备NiPt硅化物 199
15.3 自对准硅化物阻挡层（SAB）技术 199
第5篇 集成电路工艺中的“除法”
第16章 深紫外（DUV）光刻 202
16.1 光刻概述 202
16.1.1 光刻原理 202
16.1.2 光刻参数 204
16.1.3 光刻成本 204
16.2 光刻工艺流程 205
16.3 气相成底膜处理 209
16.4 旋涂光刻胶 210
16.4.1 光刻胶的组成 210
16.4.2 光刻胶的特性 211
16.4.3 对光刻胶的要求 212
16.4.4 光刻胶的涂敷 212
16.5 软烘 213
16.6 对准曝光 214
16.6.1 光刻光源 214
16.6.2 曝光关键参数 216
16.6.3 相移掩膜技术 218
16.6.4 光学临近修正 219
16.6.5 浸没式光刻技术 220
16.7 曝光后烘焙 220
16.8 显影 222
16.9 坚膜烘焙 223
16.10 图案检查 224
16.11 光刻设备 224
16.11.1 接触式光刻机 225
16.11.2 接近式光刻机 225
16.11.3 扫描投影光刻机 226
16.11.4 分步重复光刻机 226
16.11.5 步进扫描光刻机 227
16.12 硬掩膜技术 228
16.13 双重图案曝光与多重图案曝光技术 229
16.14 光刻质量检查 230
16.14.1 光刻胶质量检查 230
16.14.2 对准和曝光质量检查 231
16.14.3 显影质量检查 232
16.15 光刻安全 234
第17章 极紫外（EUV）光刻 235
17.1 EUV光刻原理 235
17.2 EUV光刻优点 236
17.3 EUV光刻面临的挑战 237
17.4 EUV光刻设备 239
17.5 EUV光刻技术展望 241
第18章 纳米压印——下一代光刻技术 243
18.1 纳米压印技术的原理 243
18.2 纳米压印技术的发展 245
18.3 纳米压印技术的应用 249
18.4 纳米压印设备 250
第19章 其他光刻技术 252
19.1 电子束光刻技术 252
19.2 离子束光刻技术 253
19.3 X射线光刻技术 254
19.4 定向自组装技术 255
第6篇 未来的集成电路工艺
第20章 集成电路工艺发展趋势 258
20.1 未来集成电路的应用领域 258
20.2 未来的集成电路工艺发展趋势 258
第21章 集成电路产业中的“卡脖子”问题 264
21.1 集成电路制造领域 264
21.2 集成电路设计领域 265
附录 267
参考文献 272
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| 內容試閱：
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集成电路是国家的支柱性产业，是信息社会运转的基础，也是引领新一轮科技革命和产业变革的关键因素。现代经济发展数据表明：1～2元集成电路的产值将带动10元左右电子产品产值和100元国民经济的增长，国民经济总产值增长部分的65%与微电子产业有关。
近年来我国先后推出一系列政策，支持集成电路产业发展，让半导体产业迎来了加速成长的新阶段。我们国家也十分重视人才培养，已将“集成电路科学与工程”设置为一级学科。清华大学、北京大学、华中科技大学等相继成立集成电路学院，江苏还专门成立了南京集成电路大学。
集成电路专业正变得热门，学习集成电路专业的学生不断增加。如何为对集成电路制造感兴趣或初次接触集成电路行业的人员提供一本通俗易懂的入门读物是编著者一直思考的问题。本书根据编著者多年教学经验编撰而成，在编写过程中以“面向读者友好”为基本原则，内容具有如下六个特点：
第一，采用通俗易懂的语言深入浅出地讲解集成电路工艺，用日常生活中的例子打比方来讨论集成电路工艺。
第二，配以大量彩图和三维图形进行说明，以便读者理解、加深印象，并对集成电路的制备产生兴趣。
第三，别出心裁地将集成电路工艺归纳为“加”（给硅晶圆“加”东西）、“减”（从硅晶圆上“减”去物质）、“乘”（“乘”了热后能量增加）、“除”（主要指光刻，掩膜版的图案尺寸“除”以4得到光刻胶上的图案）四部分，便于读者迅速理解并掌握集成电路相关工艺。
第四，既讲解了传统微电子芯片制备中的基本工艺原理，也增加了先进纳米集成电路工艺相关的讨论，如应变硅技术、绝缘体上硅技术、鳍式晶体管、超低k（介电常数）材料、毫秒级退火、多重曝光技术、极紫外曝光技术、纳米压印技术等。
第五，在注重基础理论知识的同时，也加强了工艺实践操作相关的介绍，如工艺实施之后质量如何？有可能出现哪些问题？如何解决这些问题？同时，也加强了工艺安全方面的讲解。
第六，本书满足课程思政的需求，在讲述集成电路工艺的过程中融入了一些积极向上的价值观，通过中国集成电路产业历史发展和当前面临的“卡脖子”困境，鼓励读者树立民族自信，为中华振兴而努力学习。
全书共分为6篇21章。第1篇 集成电路制备前的准备工作，主要讲述微电子行业的历史、现状与特点；电子产业的基石——硅，包括硅材料的“脾性”及由硅材料构成的基本半导体器件；芯片制造顺利进行所必需的支撑条件，如净化间、化学试剂、气体、半导体设备、掩膜版等；集成电路工艺概述，重点给出了典型CMOS的制备流程。第2篇 集成电路工艺中的“加法”，讲述氧化、化学气相淀积、物理法沉积薄膜、扩散、离子注入这五种需要向基底“加料”的工艺，其中前三种都是制备薄膜的方法，后两种是掺杂的手段。第3篇 集成电路工艺中的“减法”，讲述硅片清洗工艺、用来转移图案结构的刻蚀工艺及化学机械抛光工艺。第4篇 集成电路工艺中的“乘法”，讲述和加热退火相关的工艺，包括离子注入之后的退火工艺，用于局部平坦化表面的回流工艺，通过退火制备硅合金的工艺。第5篇 集成电路工艺中的“除法”，主要讲述各种光刻工艺，包括深紫外（DUV）光刻，极紫外（EUV）光刻，下一代光刻技术—纳米压印技术，以及电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、定向自组装等其他光刻技术。第6篇 未来的集成电路工艺，从宏观角度描绘了未来集成电路工艺的发展趋势，并探讨了我国目前面临的“卡脖子”问题及发展现状与应对之策。
值得注意的是，由于器件、材料、工艺之间互相关联以及集成电路各项工艺之间联系紧密，因此读者在使用本书时，可以按照自己的需要或兴趣灵活安排学习顺序。例如在学习第4章的CMOS流程时对某一项工艺感兴趣或感到困惑，完全可以跳到对应章节先行学习。
本书在编写时参考了大量文献，尤其是张汝京、萧宏等行业大咖的经典著作，在此对他们及所有参考文献作者表示深深的感谢！本书的出版离不开化学工业出版社各位编辑的辛勤工作，对此表示由衷的感谢！感谢俞圣鑫、包婷婷为本书绘制了大量插图！感谢家人全力支持我的写作！
希望本书的出版能够为广大集成电路专业学生、爱好者和从业人员普及集成电路工艺相关知识，为我国的集成电路产业发展贡献绵薄之力。
鉴于编著者水平有限，书中如有不妥之处，恳请广大读者批评指正。
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